Effects of electron-phonon interaction and chemical shift on near-band-edge recombination in GaN

Germain, M.; Kartheuser, E.; Gurskii, A. L.; Lutsenko, E. V.; Marko, I. P.; Pavlovskii, V. N.; Yablonskii, G. P.; Heime, Klaus; Heuken, Michael; Schineller, B.

Melville, NY / AIP (2002) [Fachzeitschriftenartikel]

Journal of applied physics
Band: 91
Ausgabe: 12
Seite(n): 9827-9834

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